檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "趙良君".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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本論文旨在探討碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披覆氮化鎵奈米尖錐及其特性分析。實驗首先以射頻式濺鍍系統沉積純銀薄膜，接著經由熱氧化方式形成雙層遮罩結構，最後使用碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披…
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本論文主要探討氮化鎵(gallium nitride)奈米線(nanowires)之光電導效率及其物理機制。利用定義歸一化增益，分別探討分子束磊晶與化學汽相沉積氮化鎵奈米線之光電導效率。經由去除實驗…
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本論文研發氮化鎵表面粗糙化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太陽能電池光電流。由於商用氮化鎵晶圓是為做LED元件設計，主動層多重量子井數目較少。為了避免QCSE (quantum-confined Star…
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為改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，以得到高發光效率的元件，一直以來都被視為研究重點。如使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件基板，因…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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氮化鎵材料系統被廣泛的應用於高功率發光二極體。其中很重要的一部分在於透明導電層的製作。ITO (Indium-tin-oxide)是廣泛被使用的材料之一，應用於氮化鎵系統的材料之中，卻出現了嚴重的問…
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本研究中，我們在n-GaN/Sapphire基材上以自組裝的有機金屬化學氣相沈積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）系統成長氮化鎵(GaN…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面，自從氮化銦能隙更正後，發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵，能組合成幾乎…